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7月28日，中銀證券（601696）發(fā)布一篇電子行業(yè)的研究報告，報告指出，三星DRAM超預期出貨，庫存水位峰值已過。

報告具體內容如下：

事件：北京時間2023年7月27日9：00，三星電子發(fā)布FY2023Q2（對應自然年2023年4月-6月）財報，公司認為目前存儲庫存已于5月見頂，ASP下降中高個位數，價格下跌趨緩，同時AI推動DDR5、HBM等高端產品需求提升，為公司帶來盈利空間。 核心要點 AI拉動DDR5、HBM等產品需求驅使三星DRAM出貨量超預期，三星NAND價格趨穩(wěn)。公司Q2營收60.01萬億韓元（QoQ-6%/YoY-22%），同環(huán)比均有下跌。營業(yè)利潤6700億韓元（QoQ+5%），凈利潤1.72萬億韓元(QoQ+10%)，環(huán)比上升明顯。DS部門收入14.73萬億韓元（QoQ+7%/YoY-48%），而內存芯片收入8.97萬億韓元（QoQ+1%/YoY-57%）。公司在Q2滿足了HBM和DDR5等以AI為中心的產品的強勁需求，DRAM出貨量高于預期，同時擴大了NAND先進節(jié)點份額，令NAND的ASP下降趨緩，最終公司實現(xiàn)盈利的連續(xù)增長。 客戶端去庫存進度如預期進行，三星庫存已于5月見頂，并預計全年將保持減產節(jié)奏。分終端來看，PC、mobile等客戶去庫存進度取得實質性進展；服務器方面，客戶的庫存調整的相對較晚，但亦將在下半年逐漸恢復正常。此外，三星的DRAM、NAND庫存水位已在5月份見頂；供給方面，三星維持自Q1減產以來的收緊態(tài)勢，同時也計劃2023下半年依然保持下調產量的節(jié)奏，從而進一步加快庫存的正?；樘嵘呙芏?高附加值的產品份額，公司正在對DRAM、NAND的某些產品進行額外結構性調整。 加緊HBM開拓，長遠布局先進存儲賽道。對于HBM3，三星目前正接受行業(yè)頂級性能和容量的客戶的資格認證，并已向關鍵的AISOC公司和云公司出貨8層16GB和12層24GB的產品；對于HBM3P，三星計劃在23下半年推出24GB容量的產品；在供應上，三星計劃2024年將HBM的產能至少提高一倍；同時，三星對先進存儲亦進行長遠布局，如解決數據中心AI所需的高密度產品（32GbDDR5）、存內計算技術（CXL-PNM方案）、為終端AI設計的產品（LLM）等。 投資建議 NAND價格下跌趨緩，庫存已過最高點：三星FY23Q2價格：DRAM下降了中高個位數，而NAND受益于擴大先進節(jié)點來增強成本競爭力，在Q2下降中高個位數，價格逐漸趨于穩(wěn)定；三星庫存已在5月達峰，同時將全年貫徹減產策略來加快庫存的正?；?。我們認為，隨著下半年下游需求的復蘇，消費電子傳統(tǒng)旺季的到來，服務器行業(yè)去庫存的執(zhí)行，存儲供需狀況有望進一步回歸良性區(qū)間。 AI帶動DDR5和HBM需求增長，配套產業(yè)鏈加速升級：受益于AI服務器的銷量增長，算力驅動存力邏輯逐步實現(xiàn)，我們認為在DDR5及HBM3的帶動下，存儲產業(yè)鏈有望逐步走出周期底部，高密度/高附加值產品將打開更多市場空間，相關產業(yè)鏈有望深度受益。 推薦：1）兆易創(chuàng)新（603986）：NORflash國內市占率第一全球第三，DRAM打開成長空間；建議關注：1）華海誠科：哈勃持股+GMC材料可用于HBM；2）聯(lián)瑞新材：量產配套供應HBM所用球硅和Lowα球鋁。3）朗科科技（300042）：韶關國資委控股，深度受益數據中心招投標。 風險提示 下游需求復蘇不及預期、產能削減效果不及預期、HBM產能緊張、DDR5滲透率不及預期、國產替代進程不及預期。

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