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【資料圖】

1月2日消息，英特爾最初其實(shí)是做DRAM存儲(chǔ)器起家的，而且一度成為存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)的先驅(qū)，并在1970年成功造出了全球首款商用1K Bit pMOS DRAM“Intel1103”，但隨著后來(lái)日本廠商的崛起在1984年宣布退出該領(lǐng)域。

雖然不再研發(fā)DRAM技術(shù)，但英特爾并不是完全與存儲(chǔ)技術(shù)割離開(kāi)來(lái)，例如該公司后來(lái)還曾在IDF2015上宣布與美光合作開(kāi)發(fā)3D XPoint技術(shù)，將精力投入到NAND Flash領(lǐng)域，還研發(fā)了Optane傲騰硬盤(pán)，不過(guò)于沒(méi)幾年就將相關(guān)業(yè)務(wù)賣(mài)掉了。

發(fā)現(xiàn)，英特爾子公司“英特爾聯(lián)邦有限責(zé)任公司”接受了美國(guó)能源部的委托，為桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)一種新的內(nèi)存技術(shù)。據(jù)介紹，這種技術(shù)則是美國(guó)AMT高級(jí)內(nèi)存技術(shù)的一部分，主要用于超算領(lǐng)域，旨在加速模擬和計(jì)算應(yīng)用。

這種全新的DRAM技術(shù)還沒(méi)有明確的資料，但目前已經(jīng)選定幾款技術(shù)，整體看起來(lái)效能十分強(qiáng)大，比桑迪亞實(shí)驗(yàn)室即將推出的NNSA超級(jí)電腦所使用的效能高出40倍。

據(jù)介紹，該項(xiàng)目由美國(guó)國(guó)家核安全管理局高級(jí)模擬和計(jì)算項(xiàng)目資助，與桑迪亞、洛斯阿拉莫斯、勞倫斯利弗莫爾三個(gè)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室合作，屬于NNSA后百億億次級(jí)計(jì)算計(jì)劃投資組合的一部分，其目標(biāo)是維持技術(shù)研發(fā)勢(shì)頭以及通過(guò)其PathForward計(jì)劃啟動(dòng)的與行業(yè)的密切合作提高美國(guó)在下一代高性能計(jì)算技術(shù)方面的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，培育更強(qiáng)大的國(guó)內(nèi)高性能計(jì)算生態(tài)系統(tǒng)。

Sandia項(xiàng)目負(fù)責(zé)人James H.Laros III表示：“這項(xiàng)工作將側(cè)重于提高未來(lái)內(nèi)存系統(tǒng)的帶寬和延遲特性，這將對(duì)各種ASC任務(wù)代碼的應(yīng)用程序性能產(chǎn)生直接影響”。

“我們已經(jīng)在預(yù)測(cè)下一代必須解決的未來(lái)平臺(tái)挑戰(zhàn)，”英特爾系統(tǒng)架構(gòu)和工程集團(tuán)副總裁兼總經(jīng)理Anil Rao表示，“我們相信高級(jí)內(nèi)存技術(shù)計(jì)劃將幫助我們?yōu)橄乱粋€(gè)十年的創(chuàng)新提供支持?！?/p>

英特爾院士Josh Fryman表示：“我們正在重新思考DRAM的組織方式以及如何與計(jì)算平臺(tái)相結(jié)合以實(shí)現(xiàn)突破性性能的基本方面?！薄拔覀兇蛩阃ㄟ^(guò)研究桑迪亞、勞倫斯利弗莫爾和洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家提出的最棘手的問(wèn)題，從根本上推進(jìn)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)。主流內(nèi)存并非為當(dāng)今的計(jì)算平臺(tái)而設(shè)計(jì)，這一多年的努力將幫助我們從基本DRAM設(shè)計(jì)本身中獲得數(shù)量級(jí)的性能提升，從而在所有行業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全新的性能等級(jí)。我們希望看到這些創(chuàng)新被納入行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以提升整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)?！?/p>