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2022 IEC TC82 WG2 春季會議光伏組件零部件標(biāo)準(zhǔn)最新狀態(tài)
發(fā)布時間:2022-04-11 09:40:28 文章來源:KE科日光伏網(wǎng)
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2022年4月4日至4月8日,IEC TC82 WG2召開了2022春季網(wǎng)絡(luò)會議。來自全球各地的光伏專家在為期一周的會議里,就多項該光伏標(biāo)準(zhǔn)展開了深入討論。TüV南德意志大中華集團一如既往,積極參與IEC標(biāo)準(zhǔn)的制定和討論,隨時掌握標(biāo)準(zhǔn)最新發(fā)展動態(tài),不斷完善自身的服務(wù)范圍和能力,從而協(xié)助客戶端及時向市場提供滿足最新標(biāo)準(zhǔn)要求的合格產(chǎn)品。

以下對此次會議討論的主要內(nèi)容和標(biāo)準(zhǔn)更新狀態(tài)給大家做一個匯報:

從2021年秋季會議以后,發(fā)布5項更新標(biāo)準(zhǔn)及2項全新標(biāo)準(zhǔn):

IEC 62788-5-1:2020+AMD1:2022 Measurement procedures for materials used in photovoltaic modules - Part 5-1: Edge seals - Suggested test methods for use with edge seal materials (2022-01-28)

IEC 62788-7-3:2022 ED1 Measurement procedures for materials used in photovoltaic modules - Part 7-3: Accelerated stress tests - Methods of abrasion of PV module external surfaces (2022-02-22)

IEC TS 63109:2022 Measurement of diode ideality factor by quantitative analysis of electroluminescence images (2022-03-25)

IEC 61215-1-2:2021/AMD1:2022 Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval – Part 1-2: Special requirements for testing of thin-film Cadmium Telluride (CdTe) based photovoltaic (PV) modules (2022-03-28)

IEC 61215-1-3:2021/AMD1:2022 Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval - Part 1-3: Special requirements for testing of thin-film amorphous silicon based photovoltaic (PV) modules (2022-03-28)

IEC 61215-1-4:2021/AMD1:2022 Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval - Part 1-4: Special requirements for testing of thin-film Cu(In,Ga)(S,Se)2 based photovoltaic (PV) modules (2022-03-28)

IEC TS 62804-2:2022 Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 2: Thin-film (2022-03-29)

光伏組件標(biāo)準(zhǔn)最新進展

IEC 61215新的提案

2021版IEC 61215標(biāo)準(zhǔn)在濕熱以后做MQT19.3,用來消除濕熱過程造成的BO缺陷導(dǎo)致的功率衰減假象,但這個過程同時伴隨著LETID,所以假失效現(xiàn)象仍然可能存在,F(xiàn)raunhofer ISE報告了他們的研究和測試結(jié)果,如圖:

Fraunhofer ISE設(shè)計了一些實驗,研究濕熱,熱循環(huán)前后進行不同CID處理條件造成的功率衰減結(jié)果,通過分析,對PERC提出了一種新的一濕熱測試流程,即Gate 1---CID85----CID25---Measuremet---DH1000---CID85---CID25,在這個過程中CID25和CID85會讓BO復(fù)合體處于不同的狀態(tài),該研究結(jié)果將于近期發(fā)表,對合理設(shè)計高溫條件下環(huán)境測試前后處理條件提供指導(dǎo)。

IEC TS 63397 Guidelines for qualifying PV modules for increased hail resistance

目前是DTS階段,會后會在WG2內(nèi)流轉(zhuǎn)征求反饋意見。

以下是主要報告內(nèi)容:

最大尺寸從初始的100mm降低到80mm;

參考瑞士VKF的測試方法,對每一種尺寸的冰雹同時給出了質(zhì)量范圍以及動能范圍

有效測試情況,如果動能太小,需要更換位置重新測試。如果動能太大,超出規(guī)范要求范圍,將組件打壞,該數(shù)據(jù)不引用,需要重新更換組件測試

提供了全球冰雹發(fā)生概率地圖做參考,如下圖:

對規(guī)范中的內(nèi)容,與會專家進行了討論。阿特斯提出,80mm尺寸太大,組件很難通過測試,寫在規(guī)范中會引導(dǎo)買家要求制造商進行最大尺寸的測試,并指出當(dāng)前地圖并不能對確定某個區(qū)域的冰雹尺寸給予指導(dǎo)。根據(jù)與會專家反饋意見,規(guī)范中尺寸并不是強制尺寸,如果買家要求大尺寸冰雹測試,組件設(shè)計制造成本會增加,需要通過商業(yè)方式來解決。另外,關(guān)于冰雹尺寸的統(tǒng)計,可能會比較困難,但是從另外一個角度來考慮,一場冰雹可能會包含不同尺寸。目前看來,該規(guī)范和IEC TS 63126類似,可以一定程度上評估行業(yè)碰到的實際問題,另外一方面,對行業(yè)的精確指導(dǎo)還有待進一步發(fā)展。

IEC 61730-1ed 3.0標(biāo)準(zhǔn)進展

之前FDIS版本草稿已經(jīng)在WG2內(nèi)收集意見,截至日期為4月底,處理完反饋意見后,下一步IEC官方將發(fā)布FDIS版本,不再做技術(shù)變更。工作組長Nancy介紹了標(biāo)準(zhǔn)的進展,和上次會議相比,主要變化如下:

在Marking和documentation章節(jié),增加匹配連接器信息,包括型號和廠家。

銘牌增加設(shè)計壓強,考慮避免雙面組件背面遮擋,與會專家提出需要考慮雙面組件的銘牌空間可能不夠。

對DTFI概念做了闡述。Cr指電爬過兩個帶電體之間物體表面的距離,Cl指電穿過兩個導(dǎo)體之間空氣的最短距離,組件內(nèi)部封裝材料不屬于上述任何一種情況,所以引入DTFI概念,即功能絕緣穿透距離。本質(zhì)上不同電勢間的EVA要起到功能絕緣作用,同時避免打弧,著火現(xiàn)象。DTFI距離的評判原則和原有Cr/Cl一樣,即默認(rèn)距離為基礎(chǔ)絕緣條件下Cr,Cl中的較大值,但是和安全絕緣里的Cl一樣,允許變小,通常最小為Cr。當(dāng)小于默認(rèn)距離時,需要額外測試來驗證。安全絕緣是用Impulse voltage test來驗證,針對功能絕緣這種情況,標(biāo)準(zhǔn)也通過MST57測試來驗證。

關(guān)于高溫工作條件,組件的工作溫度和系統(tǒng)設(shè)計以及環(huán)境相關(guān),目前很難精確的說明組件在不同情況下的工作溫度。一方面行業(yè)需要研究出工作溫度的計算方法,目前IEC 63126工作組正在這方面進行努力,也需要各個國家和地區(qū)根據(jù)對所屬區(qū)域進行研究。當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)從intend use, marking, documentation三方面進行了相關(guān)基本信息的描述,引入T98溫度作為組件的operation temperature.例如在marking部分,明確組件的T98測試水平,同時在documentation部分要求使用手冊中也進行說明,并給出安裝條件,區(qū)域環(huán)境的限制,并增加會影響到T98溫度的因素供安裝商參考。與會專家對該部分的描述展開了討論。有專家建議給出離屋面最小安裝距離,參考IEC 63126調(diào)研的一篇文獻,根據(jù)該文獻,組件離屋面的距離并不大,只有幾厘米左右。但是對該數(shù)據(jù)的可靠性還需要進一步確認(rèn)。根據(jù)之前工作組的分析,在open rack安裝條件下,幾乎所有地區(qū)T98溫度都在70度以下,更高的溫度通常在背面空氣流動受到限制時,例如屋面安裝。

IEC 61730-2 ed3.0

目前已經(jīng)進入FDIS階段,工作組長Guido介紹了和ed 2.0相比發(fā)生的變化,具體變化在之前新聞稿中已經(jīng)做了詳細(xì)的描述,以下做些補充,以及會上提出來的一些討論要點:

相同測試序列編號修改與IEC 61215一致

反向電流測試溫度測量精確度變大為±5K,測試中最大表面溫度修改為170oC

對超大組件,哪些需要在真實尺寸組件上測試,哪些可以用代表性樣品

抽樣討論,主要針對超大組件,要確保制造商有生產(chǎn)能力

雙面組件背面UV測試是否需要,只是針對IEC 61730測試序列,有專家認(rèn)為這與組件安全無關(guān),單面組件同樣會有背面UV。當(dāng)前IEC 61215/61730組合測試基本是業(yè)內(nèi)通用,這個問題不是那么重要。

對超大組件,如果是有由兩塊組件并聯(lián)而成,用其中一塊當(dāng)代表性樣品時,測試電流可以用原來的一半。

濕漏電測試水溫范圍討論,目前為14-45度,保持不變

對超大組件,代表性樣品尺寸的要求,討論建議參考IEC 61215中的描述

IEC TS 63126

IEC TS 63126已經(jīng)有發(fā)布版本,IEC 61730_1里也已經(jīng)包含了該部分的要求,但是該規(guī)范在實際應(yīng)用時指導(dǎo)意義還不是特別強,例如目前沒有明確溫度的計算方法,考慮T98溫度是系統(tǒng)溫度,和現(xiàn)場系統(tǒng)安裝相關(guān),該數(shù)據(jù)通過實際測量來收集比較困難。美國標(biāo)準(zhǔn)委員會在嘗試如何評估T98,其他國家也可以自己分析自己所在區(qū)域的高溫情況。目前,該項目在收集各方面的意見,報告內(nèi)容主要為標(biāo)準(zhǔn)修訂的方向和目前的研究結(jié)果,包括:

針對EVA,背板UV照射條件,從測試成本考慮,建議用A3延長時間

針對70open rack的安裝方式,給出了最小安裝高度地圖

下一步正式成立工作組,重點進行如何評估T98溫度

IEC TS 62915光伏組件重測導(dǎo)則

已經(jīng)與2022年2月18提交CD稿收集反饋意見,截止收集日期為4月15日,接下來將在工作組內(nèi)重點討論這些意見。工作組長Itai介紹了重測導(dǎo)則的最新進展:

增加了雙面組件的重測條款,并基于IEC 61215/61730的最新進展進行了協(xié)調(diào)。

UL62915也基于現(xiàn)有版本在協(xié)調(diào)中。

鑒于復(fù)雜性,工作組放棄考慮將所有材料組合引起的測試都寫到此次導(dǎo)則更新中。

會上與會專家對材料組合單元進行了重點討論.規(guī)范中給出了需要考慮測試的組合,如下圖,但是具體測試需要根據(jù)實際情況作出工程判斷。不少專家對此表示擔(dān)心,因為這可能會造成不同實驗室測試方案的不同,可能會導(dǎo)致傾向于選擇測試少的實驗室,這會造成一些必要測試的遺漏。鑒于其復(fù)雜性,這部分工作將體現(xiàn)在下一版本中。

IEC 62804 PID測試

IEC TS 62804-1晶硅組件PID極化

NREL的Peter Hacke介紹了PID極化測試方法的進展。根據(jù)4組測試結(jié)果,發(fā)現(xiàn)EVA和POE封裝晶硅組件在沒有光照下都會發(fā)生明顯的PID現(xiàn)象,但是加上光照條件后EVA衰減和黑暗條件下一致,POE衰減明顯變少,衰減量隨著POE體電阻增加而變少。另外,Peter Hacke在-1000V偏壓,60攝氏度條件下,測試了Topcon組件,并施加了光照恢復(fù)和不同UV照射,研究極化現(xiàn)象和光照的關(guān)系。該部分測試數(shù)據(jù)的重現(xiàn)性還需要進一步評估?;谀壳暗难芯拷Y(jié)果,給出了極化測試建議條件,其中光照在實驗室可能需要金屬網(wǎng)進行衰減。根據(jù)Peter Hacke介紹,測試條件在60攝氏度時濕度要比較低,是為了避免測試過程中前后表面形成短路。另外,Peter Hacke指出,根據(jù)實際現(xiàn)場的不同氣候條件,極化現(xiàn)象可能是一直存在的,可以根據(jù)實際現(xiàn)場條件設(shè)計測試條件來復(fù)現(xiàn)。

IEC TS 60804-2薄膜組件PID測試

該標(biāo)準(zhǔn)今年初已經(jīng)發(fā)布,Peter Hacke介紹了一些可能需要修正的一些問題,包括:

是否將測試電壓降為組件系統(tǒng)電壓的一半

加速電壓是否需要降低一半到2.5倍系統(tǒng)電壓

是否可以用鋁箔貼在組件表面進行測試

對上述問題,與會專家進行了討論。

關(guān)于測試電壓,有專家介紹根據(jù)其測試結(jié)果,電站現(xiàn)場陣列中的電壓是float的,大概在幾百伏,支持用一半系統(tǒng)電壓測試。也有專家認(rèn)為系統(tǒng)電壓是最惡劣狀態(tài),而且經(jīng)常是系統(tǒng)一端接地,所以建議仍然用系統(tǒng)電壓測試。

關(guān)于加速電壓,Hacke解釋該電壓是加速因子之一,如果降低電壓,需要延長測試時間,所以不建議。

關(guān)于鋁箔,Hacke也做了解釋,用鋁箔會提升漏電流,目前的測試方法和現(xiàn)場數(shù)據(jù)比較吻合。

組件功率測試標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60904-1-2:雙面光伏器件電流-電壓特性測量

該標(biāo)準(zhǔn)目前正在準(zhǔn)備CD稿,工作組長在會議上介紹了新版本的更新內(nèi)容,主要包括:

引入BIFIrel概念,即相對背面光強增益系數(shù),報告輸出內(nèi)容和IEC 61215 2021版中的內(nèi)容一致

模擬器和自然光條件測試光強均勻性等級至少為B

對非輻射背景章節(jié)做了修改,背面光強由原來的3W.m-2變?yōu)? W.m-2,并給出了測試方法和測試點示意圖。

IV測試包括雙面系數(shù)測試原標(biāo)準(zhǔn)要求一定要進行光譜修正,現(xiàn)在修改更為合理,可以采用校準(zhǔn)過的光譜響應(yīng)一致的參考件,如果沒有規(guī)避光譜失陪,需要在IV測試不確定度中進行分析

雙面系數(shù)測量需要注意邊框高度引起的在前后IV測試時,前表面和背面電池不在同一平面上。對該誤差要進行修正。另外,對雙面系數(shù)的計算做了更新,修改為對背面光強導(dǎo)致的功率增益比例和背面光強與正面光強的比值之間進行線性擬合,斜率即雙面系數(shù),如下圖

IV測試時等效光強的計算修改為只引用Isc的雙面系數(shù)進行計算,這樣可以提高測試準(zhǔn)確性。

IEC 60904-2標(biāo)準(zhǔn)光伏器件要求

目前處于CD階段,2月份CD稿反饋意見已經(jīng)收集完畢,現(xiàn)在在CDV版本準(zhǔn)備中。工作組報告了主要的技術(shù)意見及采納結(jié)果,采納的建議主要有:

對參考器件的定義進行了優(yōu)化,刪除了包含多個電池封裝的參考器件,與參考組件定義一致

自然光條件下校準(zhǔn),增加了散射光比例測量方法的參考標(biāo)準(zhǔn),即IEC 60904-4.

關(guān)于該補充版本的主要技術(shù)變更,可以參考2021年秋季會議新聞稿。

IEC 60904-5開路電壓法測量光伏器件電池等效溫度

目前FDIS版本標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)在WG2征求意見,工作組報告了主要的技術(shù)意見及采納結(jié)果,主要的技術(shù)變更為增加說明,方法1的測試不確定度更低

IEC 60904-8/AMD1光伏器件的光譜響應(yīng)測試

目前已經(jīng)完成的部分有:

通過Isc計算SR,給出了計算公式

DSR測量次數(shù)從5次減少為3次

對入射光掃描過程做了細(xì)化

IEC 61853-2 Photovoltaic (PV) module performance testing and energy rating

Part 2: Spectral responsivity, incidence angle and module operating temperature

measurements

工作組介紹了IAM和NMOT測試方面的進展。

IAM

比對測試還在進行,戶外測試流程已經(jīng)修改完,室內(nèi)測試流程正在進行,包括設(shè)備,樣品和測試方法三個方面,針對不同的測試樣品,示例如下:

NMOT

進一步優(yōu)化秋季會議上提到的第三種數(shù)據(jù)擬合方法,從擬合結(jié)果來看,每個月的uo,u1和NMOT擬合值一致性比較好,利用該方法,數(shù)據(jù)采集的時間最快1個月就可以完成。

IEC 61853系列標(biāo)準(zhǔn)

IEC 61853共分為4個部分,最終的目的是為了評估組件的發(fā)電能效,核心計算在第3部分。據(jù)工作組介紹,之前的版本中沒有考慮到雙面組件,對雙面組件,IEC 61853所有內(nèi)容都需要考慮更新,第一步是先從第三部分出發(fā)來考慮需要做哪些變動,然后再分配到具體部分來實施。目前會落實的有以下幾個方向:

增加背面輻照和不同角度光強計算公式,并應(yīng)用于雙面組件功率計算,驗證其準(zhǔn)確性。相應(yīng)更新氣象數(shù)據(jù),例如反射光強,方位角

修改光譜修正公式

簡化61853-1中功率矩陣外延或內(nèi)延時的計算公式,從原有27個簡化到4個

優(yōu)化光譜修正時的光譜波長間隔,現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)中在紅外長波長段誤差比較大

PT600 VIPV

該項目組是為了評估車載光伏系統(tǒng)的功率和可靠性。車載光伏和常規(guī)組件有兩個區(qū)別,一個通常是曲面,另一個是受遮擋頻率高,這會影響到車載光伏的能效評估。工作組開發(fā)了一個計算模型,用來評估光照強度, Sandia National lab正在對該模型進行評估。接下來,工作組會在現(xiàn)場測量,光照模型確認(rèn),能效評估方面繼續(xù)開展工作

新提案

Guidelines for replacing potentially damaged PV modules

來自Southern Company的Will Hobbs分享了他們公司實際碰到的案例,在這些項目中,組件受到不同程度和不同來源的破壞,包括暴風(fēng)雨,冰雹,龍卷風(fēng),Southern Company對受損組件進行了IV, IR,EL,UVF不同的測試方法,并對結(jié)果進行分析,給出了替換導(dǎo)則。

IEC TS 63209-3 Combined accelerated stress test sequence for materials screening

來自阿特斯的Jean-Nicolas Jaubert做了綜合老化測試的報告,提議作為63209-3和-4兩個部分來進行標(biāo)準(zhǔn)起草。該提案的主要目的是用較短的時間模擬出材料的失效現(xiàn)象。根據(jù)報告結(jié)果,綜合老化測試可以呈現(xiàn)和IEC TS 63209-1 B序列相同的測試效果,但時間大幅縮短,這對企業(yè)研發(fā)和評估新材料會很有幫助。與會專家對UV光譜的選擇,標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展計劃及應(yīng)用展開了討論。

IEC 61215 AMD

萊茵的Christos提議對雙面組件的雙面系數(shù)進行確認(rèn)。2021版IEC 61215標(biāo)準(zhǔn)中只要求記錄實驗室測量的雙面系數(shù),并沒有判斷標(biāo)準(zhǔn)。而實際測量中有發(fā)現(xiàn),銘牌上標(biāo)稱的雙面系數(shù)有時會比實測值大10%,這樣BSTC條件下的功率可能會虛標(biāo)。提案給出了一個雙面系數(shù)的評估公式,還需要進一步討論。

光伏零部件標(biāo)準(zhǔn)最新狀態(tài)

IEC 62788-2-1 ED.1光伏組件中的聚合物材料第2-1部分聚合物前板和背板的安全要求;IEC 62788-2 ED.2修正案光伏組件材料的測試程序第2部分聚合物材料-前板和背板

聚合物前板和背板作為太陽能光伏組件的關(guān)鍵零部件,其安全性能一直備受關(guān)注。IEC 62788-2-1是關(guān)于組件用前板和背板的安全性能要求,該標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合了IEC TS 62788-2,IEC TS 62788-7-2,IEC TS 62915等標(biāo)準(zhǔn),聚合物前板和后板必須符合該標(biāo)準(zhǔn)的要求,光伏組件才能通過IEC 61730的設(shè)計要求。TüV SüD一直積極參與IEC 62788-2-1標(biāo)準(zhǔn)的制定,來自Endurans Solar的Peter Pasmans作為背板組組長針對前段時間密集開會討論的FDIS版本收集到的問題做了一個總結(jié),主要針對環(huán)境加速老化測試、耐熱測試、熱失效保護測試(Thermal failsafe test)做了闡述,并明確了一些基本測試的詳細(xì)要求。討論組計劃在2022年WG2春季會議之后討論并形成最終FDIS版本提交IEC組委會。

本次春季會議首先總結(jié)了目前版本的IEC 62788-2-1標(biāo)準(zhǔn)和CDV版本的主要差異:

第四部分修訂

明確了背板公差的范圍,不僅僅是厚度要求還包括配方和各層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,厚度公差只有在滿足DTI要求的前提下才允許存在。

對于替換材料要求也非常嚴(yán)苛,需要清楚的證明替代材料與原材料具有相同的配方、制造流程、產(chǎn)品特性,以及公差范圍內(nèi)不會對組件安全性能造成影響,制造商有責(zé)任提供任何必要的數(shù)據(jù)來支持替代材料的使用。應(yīng)提交備選樣品,并確定適當(dāng)?shù)脑囼灧桨?,以確保其符合IEC 62788-2-1標(biāo)準(zhǔn)的要求。

增加絕緣協(xié)調(diào)(Insulation coordination)和明確可靠絕緣(Relied-upon insulation)要求:

在Class 0類組件中使用的前板或背板需要滿足基本絕緣,在Class II類組件中使用雙層或加強絕緣。每一層提供可靠的絕緣層(RUI層)的多層前/背板需要滿足基礎(chǔ)絕緣。

前板或背板中作為有效絕緣層的單層和復(fù)合層需要滿足的要求:

1.單層前/背板結(jié)構(gòu)[ see example cases a1) and a2) in Figure 1 ]:

-TI或RTE(FBST04)測試,評價斷裂伸長率的熱失效保護測試(FBST10)或者用伸率作為判定要求的熱性能測試;

-DH(FBST08)UV(FBST09)前后均需滿足基礎(chǔ)或加強絕緣的直流擊穿測試(FBST06)要求(Table 2);

-單層材料最小厚度需要滿足DTI(FBST03)的測試要求。

2.多層前/背板結(jié)構(gòu)[ see example cases b1), b2) and b3) in Figure 1 ]:

作為多層結(jié)構(gòu)前/背板中的可靠絕緣層(RUI)的每一個單層需要滿足的要求:

-TI或RTE(FBST04)測試,評價斷裂伸長率的熱失效保護測試(FBST10)或者用伸率作為判定要求的熱性能測試;

-初始樣品直流擊穿滿足基礎(chǔ)絕緣測試(FBST06)要求(Table 2);

-Coating或者膠水要作為可靠絕緣層需要滿足特定的針對耐熱性能的測試;

多層結(jié)構(gòu)整體需要滿足的要求:

-DH(FBST08)和UV(FBST09)前后均需滿足基礎(chǔ)或加強絕緣的直流擊穿測試(FBST06)要求(Table 2)

-作為可靠絕緣層的最小厚度和需要滿足DTI(FBST03)的測試要求。

-對于含有鋁箔層的導(dǎo)電背板其可靠絕緣層的判定以及基本絕緣或加強絕緣的測試需要參考IEC 62788-2-1和IEC 61730-1中關(guān)于導(dǎo)電背板的設(shè)計要求。

直流擊穿測試(DC breakdown test)考慮到可靠絕緣層的實際情況,測試值的判定要求為:系統(tǒng)電壓對應(yīng)的加強絕緣要求除以相應(yīng)的系數(shù),主要是考慮了背板實際的DTI厚度對有效絕緣的影響,具體計算要求如下:

例如:400μm總厚度背板,DTI測試結(jié)果為350μm,則作為1500 VDC背板其直流擊穿的最低要求為(2000V+4×1500V)/ (350μm/400μm) = 9.143kV。

UV老化測試(UV weathering test)是相對于CDV版本變化最大的地方:

背板內(nèi)層將要求UV4000小時的老化測試,測試結(jié)構(gòu)為添加隔離層的封裝結(jié)構(gòu),具體結(jié)構(gòu)可以參考IEC TS 62788-2 Table F.1。

IEC 62788-2-1標(biāo)準(zhǔn)里討論的測試方法將會直接轉(zhuǎn)移到IEC TS 62788-2的最新版本中,例如TüV SüD和蘇州中來(Jolywood)基于IEC 60216-2向IEC組委會提交了針對涂層功能性的熱性能評估方案包含了電學(xué)性能和力學(xué)柔韌性(flexibility)測試,電學(xué)性能將采用直流擊穿測試(判定要求為:老化前、后均≥基礎(chǔ)絕緣要求且保持率≥50%);力學(xué)柔韌性(flexibility)將采用杯突測試(Cupping test)(判定要求為初始壓痕深度≥3mm且保持率≥50%)。

高溫組件對背板的要求將參考IEC TS 63126的測試要求,對于UV測試的要求變更為:白色和透明背板滿足T98 ≤ 70°C、70°C

熱失效保護測試(Thermal failsafe test):

明確了該測試是為了防止單層材料在熱應(yīng)力之后由于伸率的降低造成開裂;是對傳統(tǒng)TI/RTE (RTI)測試只評估單一方向拉伸強度的補充。測試條件和判定要求為:

背板預(yù)處理之后,120℃的條件下老化2000小時。判定要求:MD/TD方向老化后斷裂伸長率(EaB)絕對值≥25%。

IEC 62788-2新版標(biāo)準(zhǔn)將新增一個“焊接凸點測試(Solder bump test)”該測試為序列老化測試具體要求如下:

試樣層壓結(jié)構(gòu):solder wire/BS/solder wire/E/G,MD和TD方向均需準(zhǔn)備樣品;

測試序列:UV1000/A3 (FBST 09) + TC200 (MQT 11 of IEC 61215-2);

根據(jù)前期循環(huán)比對測試建議序列為:2 x (UV1000/A3 + TC200);

判定要求:序列測試后樣品外觀,主要為開裂和脫層等嚴(yán)重的外觀缺陷并對外觀進行分級。

進一步將會討論或更新的內(nèi)容:新材料基于IEC 60216-2的耐熱性測試要求;UV測試要求與IEC TS 63126測試要求的一致性;IEC 62788-2將參考IEC 62788-7-3耐磨測試要求增加一個附件;背板標(biāo)準(zhǔn)里定義的“相似材料”與IEC 62915重測導(dǎo)則一致性的問題;表面粗糙或有花紋前/背板的厚度測試細(xì)節(jié);180°剝離測試的要求將參考IEC 62788-1-1;IEC 62788-2-1中的熱失效保護測試(FBST10 Thermal failsafe test)將加到IEC 62788-2的新版標(biāo)準(zhǔn)里。

IEC 62788-1-1 ED1光伏組件用材料的測試流程-第1-1部分:封裝材料用聚合物

IEC 62788-1-1標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)基于一系列IEC 62788-1標(biāo)準(zhǔn),參考測試標(biāo)準(zhǔn)基本已經(jīng)開發(fā)完成。David Miller博士作為該標(biāo)準(zhǔn)的牽頭人再次強調(diào)了62788系列標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)目的:為組件設(shè)計以及材料的研發(fā)提供參考數(shù)據(jù)和UCF報告;進料和出貨檢查規(guī)則以及原材料或成品生產(chǎn)過程控制;為組件安全性能測試和設(shè)計選型提供參考;提供重測導(dǎo)則依據(jù)以及產(chǎn)品長期可靠性研究依據(jù);失效分析。

IEC 62788-1-1 Ed. 1聚合物封裝材料的測試規(guī)范目前有如下更新:

經(jīng)過多次線上討論形成了封裝膠膜的通用特性、測試數(shù)據(jù)、生產(chǎn)過程控制、老化、失效分析等的測試要求的匯總表。

硬度試驗:Type A硬度計用于封裝樹脂(厚樣品);Type AM型硬度計將用于特定配方封裝材料的區(qū)分測量(薄樣品,并幫助區(qū)分基體樹脂和配方樣品)。

交聯(lián)度包括4種參數(shù)(見UCF表格)。建議選擇一到兩個。

CTE的報告值可是在多種溫度下的測試值和存儲模量一樣而不僅僅是在室溫下的測試值。

CTI測試和燃燒性能測試需要加到UCF或數(shù)據(jù)報告中,討論組還會繼續(xù)討論。

關(guān)于重測導(dǎo)則的問題組委會參會人員進行了長時間的討論,需要IEC 62788-1-1討論組有類似于IEC 62788-2-1關(guān)于材料重測的基本要求,為IEC 62915后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)提供一些參考。

180°剝離測試(ISO 8510-2)是封裝膠膜標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于粘接力測試的通用方法,建議在層壓過程中采用單層膠膜層壓的方式。項目組開發(fā)的SCB測試方法在粘接測試中為可選方法, SCB測試都需要在討論組內(nèi)進行更多的比對測試,并且預(yù)計在進行樣品切割時將會在切割背板和膠膜時引起硅片的破裂,討論組還需要更多的論證和實驗,標(biāo)準(zhǔn)中更新了對不同界面進行測試的要求,分別包括:(a)背板/膠膜, (b)膠膜/玻璃,(c)膠膜/電池片以及(d)膠膜-1 /膠膜-2。

180°剝離測試的拉伸速度確定為50mm/min,在剝離測試完成后需要分析測試圖譜和測試樣品,確定失效模式,若測試圖譜出現(xiàn)不同的剝離數(shù)據(jù)平臺,需要確定哪個平臺數(shù)據(jù)和封裝材料失效有關(guān),老化測試后也需要確認(rèn)是否由于背板的失效而造成剝離測試的失敗。

IEC TS 62788-8-1晶體硅光伏組件中使用的導(dǎo)電膠(ECA)的測試第1部分材料性能測試

阿特斯的許濤博士介紹了導(dǎo)電膠(ECA)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展近況,更新了導(dǎo)電膠粘接力和電學(xué)性能測試的最新進展,目前已經(jīng)進行了兩輪循環(huán)對比測試,許濤博士強調(diào)電性能是ECA的一個關(guān)鍵特性。TüV SüD全程參與了標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)和第一輪循環(huán)比對測試。

首輪比對測試阿特斯對6家實驗室的數(shù)據(jù)進行了詳細(xì)的分析,這一輪接觸電阻率測試在6個實驗室進行了2個水平,每個10次重復(fù)。剔除實驗2的部分?jǐn)?shù)據(jù)(負(fù)值,可能是操作錯誤造成的),剔除實驗6的全部數(shù)據(jù)(兩個水平的柯克倫檢驗(Cochran’s test)均超過臨界值)。去除Lab 6數(shù)據(jù)后,重復(fù)性和重現(xiàn)性的相對標(biāo)準(zhǔn)偏差仍在30%以上。因此,安排與Lab 6 (NREL)進行第二輪循環(huán)對比測試,以優(yōu)化測試方法。

第二輪循環(huán)比對制樣分為兩部分,一部分由阿特斯制樣,一部分由NREL和阿特斯分別自己制樣。第二輪測試對于1#~3#樣品兩家實驗室均出現(xiàn)異常數(shù)據(jù),剔除異常數(shù)據(jù)后兩家實驗室相對標(biāo)準(zhǔn)偏差接近。

對于4#~6#樣品體積電阻率隨銀粒濃度的降低而增大,4#樣品在兩個實驗室的平均值和相對標(biāo)準(zhǔn)偏差相似,樣品5#和6#兩個實驗室差異變大。

基于新的發(fā)現(xiàn)對接觸電阻測試進行改進:

1.在原來硅片和銀電極之間沉積SiNx層以加強絕緣;

2.采用金屬刮刀以保證ECA表面平整;

3.銀電極寬度減小且間距一致。

基于新的測試也有一些新的發(fā)現(xiàn):

1.隨著ECA體積電阻率的增加,相鄰電極間的體積電阻Rv的增長速度快于表面接觸電阻Rc的增長速度;

2.當(dāng)Rv大于Rc時,測試精度變差;

3.當(dāng)Rv遠(yuǎn)大于Rc時,出現(xiàn)負(fù)值;

4.因此,依據(jù)經(jīng)驗法則,我們將要求電極的圖案和幾何設(shè)計具有適當(dāng)?shù)腞v和Rc比值(Rc>Rv是首選)。

討論組通過對測試基片進行絕緣和優(yōu)化電極模式使ECA接觸電阻測試更加穩(wěn)定和準(zhǔn)確。計劃與NREL進行第三輪測試,并希望在5月底前完成。與此同時,討論組將準(zhǔn)備CD草案,并在第三輪測試結(jié)束后將其發(fā)送出去征求意見。

標(biāo)簽: 測試方法 與會專家 直流擊穿

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